金田式のノイズゲイン・コントロールド・トランスインピーダンス・アンプ
皆さん、こん○○は。
なんか、最近気づきましたが、金田さんの最近のＩ／Ｖパワーアンプ、
いつの間にやらノイズゲイン・コントロールド・トランスインピーダンス・アンプになっているのですね。
入力端子〜ＧＮＤ間にＲ（またはＲ+Ｃでもよい）を入れ、（高域で）ノイズゲインを確保すれば、帯域が落ちてピークが減ります。
SiC MOS-FETバッテリードライブパワーIVC、無線と実験誌、2020/6月号の前編では入力端子〜GND間に7.5kΩの抵抗が入っていませんが、7月号の後編では入っています。
つまり位相余裕を持たせやすくなり、発振しにくくなる傾向になります。
以前、このブログ2013年9月30日の記事、
ノイズゲインがコントロールされたトランスインピーダンスアンプ
の図3のところに書いたように、発振しにくくなりますね。
やっと金田さんもそれに気がついたか、という感じです。
20/7/25追記
最初にこの抵抗を入れたのは2018/12だそうです（知人より）
